石英坩埚具有高纯度、耐温性强、尺寸大、精度高、保温性好等优点，应用越来越广泛，在半导体、冶金、化工、电工、航空航天等工业领域受到极大青睐。尤其是在硅晶体生长过程中，石英坩埚成为了不可替代的关键部件！

来源：晶盛机电

需要注意的是，根据制备工艺及用途不同，石英坩埚又分为电弧石英坩埚和石英陶瓷坩埚。电弧石英坩埚主要用于直拉单晶硅方面，是采用电弧法制造出来（即半导体领域所用）；石英陶瓷坩埚主要用于多晶硅铸锭方面，采用的是注浆或注凝成型等一般陶瓷制备方法。

单晶硅是大规模集成电路制造中不可缺少的半导体材料。随着电路集成度的提高，超大规模集成发展迅猛，目前主流硅片已达到300mm，400mm单晶硅也已研发成功，产业化指日可待，同时更大尺寸的硅单品也仍在持续研发中。

众所周知，大直径的单晶硅（200mm以上）基本都是通过直拉（CZ）法生产的，生长如此大尺寸的硅晶体需要更多的时间和更多的资源，因此，提高每炉次硅晶体生长成功率是非常重要的。在直拉硅晶体生长过程中，由于各种原因，无位错单晶生长会失败，从而造成很大的资源和时间损失。无位错单品生长失败有多种原因，在目前直拉硅单晶炉及其热场设计都很稳定成熟的条件下，与硅熔体直接接触的石英坩埚的纯度及其生长时释放微小方石英颗粒被普遍认为是导致大直径无位错直拉晶体生长失败的主要原因之一。

换句话说，电弧石英坩埚的好坏是影响直拉单晶硅产质量的主要因素。因此，对大直径单晶硅质量要求的不断提高，对半导体材料用石英制品及相关材料提出了更高的要求，如石英砂检验、石英砂提纯、电弧熔融初检、外壁清洗、切高、倒角、清洗、涂层、烘干、终检、包装、发运等。

刻蚀机腔体、样品支架

集成电路芯片制造离不开刻蚀工艺，刻蚀是决定集成电路特征尺寸的核心技术之一。刻蚀工艺是指将经图形曝光并在半导体硅片表面的光刻胶微图形转移到光刻胶下层薄膜材料（通常为SiO2、Si3N4及沉积的金属层等薄膜）上，即选择性的刻蚀掉光刻胶下层材料上未被光刻胶掩蔽的部分。目前，刻蚀工艺主要有湿法刻蚀和干法刻蚀。